技术参数：

1、高速材料和平面埋阻铜箔混压

2、2阶HDI+平面埋阻工艺

3、埋阻铜箔镍磷层特殊蚀刻

4、方阻阻值10-250欧姆

5、方阻阻值公差+/-10%

设计特点：

1、R5775材料二次压合，2阶HDI结构

2、L5层 Ohmega-ply铜箔压合

3、埋阻层采用酸性蚀刻+特殊蚀刻+碱蚀流程

4、方阻线宽特殊补偿

应用领域

航天军工，通讯设备