技术能力：

1、高速材料和平面电容材料混压

2、POFV，双面埋容工艺

3、电容值0.5-6.5nF/in2

4、电容层厚度8-50um

5、Dk(1GHz) 3.2-10

6、Df(1GHz) 0.015-0.021

设计特点：

12L H175HF+MC24M混压

2、MC24M材料双面蚀刻，电容值1.2nF/in2

3、芯板压合mass-lam，压合板厚2.0mm

4、背钻stub设计2-8mil

应用领域

航天军工，AI服务器